
結(jié)晶度:溫度不足導(dǎo)致結(jié)晶不全,出現(xiàn)非晶相與中間相;溫度過高則引發(fā) PbI?析出、有機(jī)陽離子分解。
微觀形貌:退火速率與均勻性控制晶粒尺寸、晶界數(shù)量與表面平整度,影響載流子傳輸與復(fù)合。
穩(wěn)定性:含氧、水氛圍下退火,易導(dǎo)致鈣鈦礦水解、氧化,產(chǎn)生不可逆降解。
研究?jī)?nèi)容:系統(tǒng)對(duì)比不同退火設(shè)備對(duì) FA?.??Cs?.??PbI?薄膜的影響。
關(guān)鍵發(fā)現(xiàn):使用武漢君為科技 JW-230ZK 真空加熱臺(tái)(臺(tái)面均勻性 ±1℃內(nèi)),在 105℃退火 15 分鐘,薄膜晶粒尺寸達(dá) 2–3 μm,缺陷密度降至 8.3×101? cm?3;而普通熱板(溫差 ±4℃)制備的薄膜晶粒僅 0.5–1 μm,缺陷密度高一個(gè)數(shù)量級(jí)。
器件表現(xiàn):君為加熱臺(tái)制備的電池效率達(dá) 24.2%,遲滯系數(shù)<5%;普通熱板效率僅>15%。
論文引用:“All annealing processes were carried out on a JW-230ZK vacuum hot plate (Wuhan Junwei Technology), which ensures temperature uniformity of ±1°C across the 160×160 mm substrate."

研究?jī)?nèi)容:針對(duì)窄帶隙 Sn-Pb 鈣鈦礦(易氧化)開發(fā)低溫退火工藝。
關(guān)鍵發(fā)現(xiàn):使用君為 JW-230ZK 真空加熱臺(tái)(真空度 10 Pa),在 90℃低溫退火,有效抑制 Sn2?氧化為 Sn??,薄膜中 Sn??比例<3%;而空氣退火下>15%,導(dǎo)致嚴(yán)重載流子散射。
器件表現(xiàn):真空退火器件效率達(dá) 22.5%,空氣退火僅 18.7%;且真空器件在 60°C、50% 濕度下老化 500 小時(shí),效率保留 85%,遠(yuǎn)超空氣組(40%)。
論文引用:“Low-temperature vacuum annealing was performed in a JW-230ZK hot plate (Wuhan Junwei Technology) to create an oxygen-free environment, crucial for stabilizing the Sn2? oxidation state."

采用鋁合金鍍陶瓷加熱面板(160×160 mm),內(nèi)置分布式加熱模塊。
臺(tái)面均勻性 ≤±1%,遠(yuǎn)優(yōu)于普通熱板(±3–5℃),確保大面積樣品(如 200×200 mm)結(jié)晶一致。
控溫范圍室溫~230℃,精度 ±0.1℃,支持 30 段程序升溫 / 保溫 / 降溫。
密閉不銹鋼腔體,真空度可達(dá)0.1MPA或更高 ,或充入 N?/Ar 等惰性氣體。
配備可視化觀察窗、進(jìn)氣 / 泄氣閥與壓力表,實(shí)時(shí)監(jiān)控腔體狀態(tài)。
有效隔絕 O?、H?O,防止高溫降解,適配 Sn-Pb、MA 基等敏感體系。
PID溫控,可編程升溫速率(1–20℃/min)、保溫時(shí)長(zhǎng)、多段階梯工藝。
解決人工操作誤差,批次間薄膜厚度、結(jié)晶度差異 < 3%。
桌面式緊湊結(jié)構(gòu)(400×350×300 mm),也可直接置于氮?dú)馐痔紫鋬?nèi)使用。
適配 ITO 玻璃、FTO、PET 柔性基底、小面積組件等多種樣品。
前驅(qū)體成膜:手套箱內(nèi)旋涂 / 刮涂鈣鈦礦濕膜。
轉(zhuǎn)移裝樣:快速將基底放入真空加熱臺(tái)腔室。
氛圍設(shè)置:抽真空 或充入 N?至常壓。
程序退火:?jiǎn)?dòng)程序(如:10℃/min 升至 105℃,保溫 15 min)。
冷卻取出:自然冷卻至室溫,破氣取出完成退火的薄膜。
隨著鈣鈦礦向大面積、柔性、疊層方向發(fā)展,對(duì)退火設(shè)備的均勻性、溫控速率、規(guī)模化兼容提出更高要求。君為科技等國產(chǎn)設(shè)備商正持續(xù)技術(shù)迭代,推出更大尺寸、快速升降溫、卷對(duì)卷適配型加熱臺(tái),為鈣鈦礦技術(shù)從實(shí)驗(yàn)室走向產(chǎn)業(yè)化提供關(guān)鍵裝備支撐。